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    我院刘亦武教授团队CEJ!突破聚酰亚胺高温电容性能瓶颈,为电子工业发展注入新动力

    2025年09月30日 16:58 点击:

    在现代电子工业快速发展的背景下,聚合物薄膜电容器的应用场景日益广泛,但其低储能密度和耐高温能力不足等问题逐渐凸显,难以满足电子设备小型化、微型化和轻量化的需求。湖南工业大学刘亦武教授团队聚焦这一难题,通过创新性地调控聚酰亚胺(PI)中苯环的堆叠方式,成功实现了 PI 在高温条件下的优越电容能量存储性能,为聚合物电介质材料的发展提供了新的方向。

    该团队在国际知名期刊《Chemical Engineering Journal》上发表的成果指出,传统 PI 分子结构中的刚性苯环虽赋予其高玻璃化转变温度,却因静电相互作用导致苯环堆叠产生固有电势差,促进分子链间电荷传输,增加电导损耗,降低储能性能。为解决这一问题,研究团队巧妙地将酰肼结构引入 PI 骨架,促进氢键形成,构建出具有相同电势的苯环堆叠结构,有效抑制了链间电荷传输。实验结果显示,改性后的 PI 在 150℃和 200℃时分别实现了 9.34 J/cm³和 6.16 J/cm³的超高放电能量密度,相较于未改性的 PI,其储能性能显著提升。这一成果不仅深入探究了苯环堆叠方式对 PI 电容性能的影响机制,还为设计适用于高温电容器的聚合物电介质开辟了新思路。

    在研究过程中,团队以间苯二甲酰肼为二胺单体,引入双重酰胺键,通过密度泛函理论计算和多种测试分析手段,详细研究了酰胺键引入对 PI 分子链结构、聚集态结构以及热性能、力学性能、介电性能等方面的影响。结果表明,酰胺键的引入成功破坏了原有苯环的堆叠方式,降低了聚合物的自由体积,增加了氢键数量,并使 PI 的玻璃化转变温度显著提高,热稳定性和力学性能得到增强。同时,改性 PI 的介电常数因偶极矩增大和偶极子密度增加而提升,介电损耗保持在较低水平且温度依赖性低,击穿场强也全面提高。这些性能的改善共同作用,使 PI 在高温下的电容性能得到大幅提升,展现出优异的储能性能和循环稳定性。

    来源:https://mp.weixin.qq.com/s/-7_OKd4lExq5GXnTZgZL2g